Фоторезистор — напівпровідник, опір якого збільшується або зменшується в залежності від інтенсивності падаючого світла на поверхню приладу. Чим яскравіше світло, тим нижчий опір.
Фоторезистор не має PN-переходу порівняно з іншими світлочутливими компонентами. Світлочутливість фоторезистора також може сильно змінюватись в залежності від температури навколишнього середовища. Це робить їх непридатними для додатків, які потребують точного вимірювання енергії фотонів.
Крім того, фоторезистори мають певну затримку між впливом світла та подальшим зниженням опору, який зазвичай становить близько десяти мілісекунд. Час затримки при переході з освітленого в темне середовище ще більше, часто до секунди. Тому швидке миготіння не може бути виявлено за допомогою фоторезисторів.
Якщо фоторезистори застосовуються не як центральні елементи релейних комплектів, а окремо, то повинна дотримуватися схемотехнічна точність припаювання. Це пов'язано з тим, що фоторезистори можуть працювати з максимальною робочою напругою від 100 В - 350 В.
Іншими параметрами є довжини хвиль, що виявляються, які зазвичай складають від 400 нм до 700 нм, опір осередки та температурні межі. Останні зазвичай коливаються від -60°C до +75°C. Стандартний опір вказується при освітленості 10 люкс і зазвичай становить від 6 кОм до 60 кОм.
Світловий опір фоторезистора (Ом) при освітленні (або інфрачервоному опроміненні). Варто зазначити, що цей параметр вказується для певного рівня освітленості фоторезистора, який вимірюється в люксах. Визначити який світловий опір фоторезистора можливо через визначений інтервал часу після початку впливу випромінювання, що створює на приладі освітленість заданого значення.
1. Вбудовані фоторезистори (непоглиблений напівпровідник). Вони складаються з чистих напівпровідникових матеріалів, таких як кремній або германій. Електрони збуджуються від валентної зони до зони провідності, коли на них падають фотони з достатньою енергією та збільшується кількість носіїв заряду.
2. Зовнішні фоторезистори: це напівпровідникові матеріали, леговані домішками, які називаються легуючими речовинами. Ці легуючі речовини генерують нові енергетичні смуги над валентною областю, заповнені електронами. Це зменшує заборонену зону і вимагає менше енергії для її збудження. Зовнішні фоторезистори зазвичай використовуються для довгих хвиль.
Фоторезистори завжди повинні бути включені в ланцюг із джерелом напруги. Якщо світло падає на фоторезистор, його омічний опір зменшується. В результаті струм у ланцюзі збільшується.
Фоторезистора будова складається з світлочутливого матеріалу (тобто датчик світла), який наноситься на ізоляційну підкладку, таку як кераміка. Матеріал наноситься зигзагоподібним чином для отримання бажаного опору та номінальної потужності. Ця зигзагоподібна область поділяє металево відкладені області на дві області. Потім омічні контакти розміщуються з обох боків поверхні. Опір цих контактів повинен бути якомога нижчим, щоб гарантувати, що опір змінюється в основному через вплив світла. Зазвичай матеріалами для модуля фоторезистора є сульфід кадмію, селенід кадмію, антимонід індію і сульфід кадмію.
Доступна ціна фоторезистора та проста структуру роблять пристрій привабливим на ринку електронних компонентів. Використовуються, коли необхідно виявити відсутність або присутність світла, як у випадку із вимірником освітленості камери, датчиками освітленості. Використання у вуличних ліхтарях, будильниках, контурах сигналізації вторгнення, вимірювачах інтенсивності світла на конвеєрній стрічці тощо.Фоторезистор використовується в ланцюгах постійного та змінного струму.
Для того, щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, купити фоторезистор в Україні, зверніться до офісу компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88, +38 (067) 352 98 56 або по e-mail: info @sea.com.ua.
