Компанія СЕА
× Компанія Каталог Новини Вакансії Вхід/авторизація Виробники Контакти Доставка Тех. Підтримка

Модуль IGB FS50R06W1E3

Модуль IGB FS50R06W1E3
Виробник: Infineon Technologies
Є на складі
Вартість з ПДВ:
2873.68 грн

pdf

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V

Технические характеристики:

  • Производитель: Infineon 
  • Категория продукта: модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 
  • Продукт: IGBT Silicon Modules 
  • Конфигурация: IGBT-Inverter 
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V 
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V 
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 70 A 
  • Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA 
  • Pd - рассеивание мощности: 205 W 
  • Упаковка / блок: Module 
  • Минимальная рабочая температура: - 40 C 
  • Максимальная рабочая температура: + 150 C 
  • Упаковка: Tray  
  • Вид монтажа: SMD/SMT  
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V

 

Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.

Top