Технические характеристики:
- Производитель: Infineon
- Категория продукта: модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
- Продукт: IGBT Silicon Modules
- Конфигурация: IGBT-Inverter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 70 A
- Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
- Pd - рассеивание мощности: 205 W
- Упаковка / блок: Module
- Минимальная рабочая температура: - 40 C
- Максимальная рабочая температура: + 150 C
- Упаковка: Tray
- Вид монтажа: SMD/SMT
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.
