BC858CE6327

Виробник:

Infineon Technologies

Залишок на складі: 76 шт.

Вартість з ПДВ:

1.07 грн

Опис
Технічні характеристики

Біполярні транзистори - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

Технічні характеристики:

Виробник: Infineon
Категорія товару: біполярні транзистори - BJT
Вид монтажу: SMD/SMT
Полярність транзистора: PNP
Конфігурація: Dual
Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 30 V
Напруга колектор-база (VCBO): 30 V
Напруга емітер-база (VEBO): 5 V
Напруга насичення колектор-емітер: 250 mV
Максимальний постійний струм колектора: 200 mA
Pd - розсіювання потужності: 330 mW
Добуток коефіцієнта посилення на ширину смуги пропускання (fT): 250 MHz
Мінімальна робоча температура: - 65 C
Максимальна робоча температура: + 150 C
Безперервний колекторний струм: 100 mA

Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.

Мінімальна сума замовлення - {{ item.direction.min_price }} грн. Усі ціни вказано з ПДВ.

Найменування	К-ть	Ціна/шт.
{{ product.name }} {{ product.remark }}	шт.	{{ product.price_with_tax }} грн.

РАЗОМ: {{ item.total_with_tax }} грн.

Ваш кошик пустий.

Продовжити покупки Оформити замовлення

Назва	Опис	К-ть
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Продовжити покупки

Назва	Опис	К-во
{{ product.name }}	{{ product.remark }}

Відміна

Top

BC858CE6327

Відео продукції