Технічні характеристики:
- Виробник: Diodes Incorporated
- Категорія товару: біполярні транзистори - BJT
- Вид монтажу: SMD/SMT
- Полярність транзистора: NPN
- Конфігурація: Single
- Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 60 V
- Напруга колектор-база (VCBO): 60 V
- Напруга емітер-база (VEBO): 5 V
- Напруга насичення колектор-емітер: 500 mV
- Максимальний постійний струм колектора: 1 A
- Pd - розсіювання потужності: 2 W
- Добуток коефіцієнта посилення на ширину смуги пропускання (fT): 150 MHz
- Мінімальна робоча температура: - 55 °C
- Максимальна робоча температура: +150 C
Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію про електронні компоненти, модулі, електронні радіодеталі та купити електронні компоненти в Україні зверніться до офісу Компанії СЕА: info@sea.com.ua
Написати відгук