Компанія СЕА
× Компанія Каталог Новини Вакансії Вхід/авторизація Виробники Контакти Доставка Тех. Підтримка

HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS
Виробник:
Є на складі
Вартість з ПДВ:
Ціна за запитом

pdf

Біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT) 12A 600V N-Ch

Технічні характеристики:

  • Виробник: onsemi
  • Категорія товару: біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
  • Технологія: Si
  • Вид монтажу: SMD/SMT
  • Конфігурація: Single
  • Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 600 V
  • Напруга насичення колектор-емітер: 2.7 V
  • Максимальна напруга затвор-емітер: 20 V
  • Безперервний колекторний струм при 25 C: 54 A
  • Pd - розсіювання потужності: 167 W
  • Мінімальна робоча температура: - 55 C
  • Максимальна робоча температура: + 150 C
  • Безперервний колекторний струм: 60 A
  • Безперервний струм колектора Ic, макс. 54 A
  • Струм витоку затвор-емітер: +/- 250 nA

 

Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.

Top