Технічні характеристики:
- Виробник: STMicroelectronics
- Категорія товару: біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
- Технологія: Si
- Вид монтажу: SMD/SMT
- Конфігурація: Single
- Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 1200 V
- Напруга насичення колектор-емітер: 2 V
- Максимальна напруга затвор-емітер: 20 V
- Безперервний колекторний струм при 25 C: 10 A
- Pd - розсіювання потужності: 55 W
- Мінімальна робоча температура: - 55 C
- Максимальна робоча температура: +150 C
- Безперервний колекторний струм: 5 A
- Безперервний струм колектора Ic, макс.: 10 A
- Струм витоку затвор-емітер: +/- 100 nA
Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію про електронні компоненти, модулі, електронні радіодеталі та купити електронні компоненти в Україні зверніться до офісу Компанії СЕА: info@sea.com.ua
