Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.
МОП-транзистори IRLML5103TRPBF з індукованим каналом, мають напругу -30 В і струм -0.76 А:
Завдяки доопрацюванням дизайну стандартного корпусу SOT-23 розроблений один із найменших за площею в промисловості корпус Micro3:
![-30 В -760 мА (SOT-23) [3000 шт.]](https://storage.sea.com.ua/images/items/ek/preview/irlml5103trpbf1708461414.jpeg)
Написати відгук