Компанія СЕА
× Компанія Каталог Виробництво Послуги Новини Вакансії Вхід/авторизація Виробники Контакти Доставка Тех. Підтримка Блог
Каталог

    30±16 В 75 А (TO-263)

    30±16 В 75 А (TO-263)
    Виробник: International Rectifier Corporation

    International Rectifier Corporation
    Залишок на складі: 48 шт.
    Вартість з ПДВ:
    52.49 грн

    pdf

    Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.

    МОП-транзистори IRL2203NSPbF з індукованим каналом мають напругу 30 В і струм 75 А, входять в серію IRL2203NS/L:

    • одноканальні з електропровідністю n-типу, упаковані у TO-263-3;
    • відповідають вимогам RoHS (моделі з приміткою PbF не містять свинцю).

    Корпус D2PAK (TO-263) є комплектом для поверхневого монтажу, який забезпечує максимальну потужність і мінімально можливий опір, здатний підтримувати розмір матриці до HEX-4 і розсіювати до 2 Вт. Через низький внутрішній опір підходить для застосування з високим струмом.

    • Канали
      • єдиний, три виводи
      • режим - збагачення
    • Напівпровідникова провідність (полярність) - n-типу
    • Напруга
      • сток-витік - 30 В
      • температурний коефіцієнт (пробою) - 29 мВ/°C
      • затвор-витік - ±16 В і 1/3 В (поріг включення)
      • гранична швидкість наростання на стоку - 5 В/нс
      • пряме падіння на діоді - 1.2 В
    • Струм (макс.)
      • стоку безперервний (при 25/100 °C) та імпульсний - 75/82 А та 400 А
      • діода безперервний та імпульсний - 116 А та 400 А
      • переривання - 60 А
      • витоку стік-витік (при 30/24 В) і затвора - 25/250 мкА і ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямої передачі - 73 Див
    • Потужність
      • розсіювання (при 25 °C мін./макс.) - 3.8/180 Вт
      • лінійний коефіцієнт зниження - 1.2 Вт/°C
    • Енергія імпульсів на стоку
      • одиничні (тип./при 175 ° C) - 1.32 Дж і 290 мДж
      • повторювані - 18 мДж
    • Опір
      • стік-витік відкритого каналу (при напрузі затвор-витік 10/4.5 В) - 7/10 мОм
      • на затворі (мін./макс.) - 200 мОм та 3 Ом
      • термальне кристал-довкілля і кристал-корпус - 40 ° C / Вт і 0.85 ° C / Вт
    • Ємність
      • вхідна/вихідна - 3.29/1.27 нФ
      • реверсна (затвор-сток) - 170 пкФ
    • Заряд
      • затвор - 60 нКл
      • затвор-виток/затвор-стік - 14/33 нКл
      • відновлення діода (ном./макс.) - 110/170 нКл
    • Час
      • затримки включення/вимкнення - 11/23 нс
      • наростання / спад імпульсу - 160/66 нс
      • зворотного відновлення діода (ном./макс.) - 56/84 нс
    • Індуктивність стік/витік - 4.5/7.5 нГн
    • Температура
      • робоча та зберігання - від -55 до +175 °C
      • при паянні (макс.) - +300 °C
    • Розміри
      • довжина - 10.67 мм
      • ширина - 9.65 мм
      • висота - 4.83 мм
    Top