Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.
МОП-транзистори IRL2203NSPbF з індукованим каналом мають напругу 30 В і струм 75 А, входять в серію IRL2203NS/L:
Корпус D2PAK (TO-263) є комплектом для поверхневого монтажу, який забезпечує максимальну потужність і мінімально можливий опір, здатний підтримувати розмір матриці до HEX-4 і розсіювати до 2 Вт. Через низький внутрішній опір підходить для застосування з високим струмом.

Написати відгук