Компанія СЕА
× Компанія Каталог Виробництво Послуги Новини Вакансії Вхід/авторизація Виробники Контакти Доставка Тех. Підтримка Блог
Каталог

    600 В 16 А (TO-247)

    600 В 16 А (TO-247)
    Залишок на складі: 27 шт.
    Вартість з ПДВ:
    211.85 грн

    Третє покоління дискретних напівпровідників Power MOSFET виробництва Vishay є найкращою комбінацією швидкого перемикання, міцної конструкції, низьких собівартостей та опору в активному стані.

    МОП-транзистори SiHFPC60-E3 (IRFPC60PBF) з індукованим каналом мають напругу 600 В і струм 16 А, входять в серію IRFPC60/SiHFPC60:

    • одноканальні з електропровідністю n-типу, що характеризуються простотою паралельного підключення;
    • виконані із кремнію, упаковані в TO-247AC, призначені для вивідного монтажу;
    • відповідають вимогам RoHS (моделі із приміткою E3/PbF).

    Корпус TO-247AC схожий на TO-218, але є найкращим вибором завдяки ізольованій точці монтажу та більшій відстані витоку між контактами (задовольняючи значну кількість вимог безпеки). Переважно застосовується за високих потужностей (коли використання пристроїв у корпусі TO-220AB протипоказано).

    • Канали
      • єдиний, три виводи
      • режим - збагачення
    • Напівпровідникова провідність (полярність) - n-типу
    • Напруга
      • стік-витік - 600 В
      • температурний коефіцієнт (пробою) - 0.83 В/°C
      • затвор-витік - ±20 В і 2-4 В (поріг включення)
      • гранична швидкість наростання на стоку - 3 В/нс
      • пряме падіння на діоді - 1.8 В
    • Струм (макс.)
      • стоку безперервний (при 25/100 °C) та імпульсний - 16/10 А та 64 А
      • діода безперервний та імпульсний - 16 А та 64 А
      • переривання - 16 А
      • витоку стік-витік (при 600/480 В) і затвора - 100/500 мкА і ±100 нА
    • Крутизна характеристики прямої передачі - 13 Див
    • Розсіювання потужності
      • 280 Вт
      • лінійний коефіцієнт зниження - 2.2 Вт/°C
    • Енергія імпульсів на стоку (макс.)
      • одиничні - 1 Дж
      • повторювані - 28 мДж
    • Опір
      • сток-виток відкритого каналу - 400 мОм
      • термальний корпус-радіатор і кристала (корпус/довкілля) - 0.24 °C/Вт і 0.45/40 °C/Вт
    • Ємність
      • вхідна/вихідна - 3.9 нФ та 440 пкФ
      • реверсна (затвор-сток) - 98 пкФ
    • Заряд
      • затвор (макс.) - 210 нКл
      • затвор-виток/затвор-стік - 26/110 нКл
      • відновлення діода (ном./макс.) - 6.6/9.9 мкКл
    • Час
      • затримки включення/вимкнення - 19/110 нс
      • наростання/спаду імпульсу - 54/56 нс
      • зворотного відновлення діода (ном./макс.) - 610/920 нс
    • Індуктивність стік/витік - 5/13 нГн
    • Температура
      • робоча та зберігання - від -55 до +150 °C
      • при паянні (макс.) - +300 °C
    • Розміри
      • довжина - 20.82 мм
      • ширина - 15.87 мм
      • висота - 5.31 мм
    Top