Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.
МОП-транзистори IRF540NPbF з індукованим каналом мають напругу 100 В і струм 33 А, входять в серію IRF540N:

Написати відгук