Ефективні та надійні дискретні напівпровідники HEXFET® Power MOSFET виробництва International Rectifier комбінують ультра низький опір в активному стані (завдяки передовим технологіям обробки сигналів), високу швидкість перемикань та міцну конструкцію.
МОП-транзистори IRLML2803TRPBF з індукованим каналом, мають напругу 30 В і струм 1.2 А:
Завдяки доопрацюванням дизайну стандартного корпусу SOT-23 розроблений один із найменших за площею в промисловості корпус Micro3:
![30 В 1.2 А (SOT-23) [3000 шт.]](https://storage.sea.com.ua/images/items/ek/preview/irl3705nstrlpbf1708461091.jpeg)
Написати відгук