Технические характеристики:
- Категория продукта: транзисторные выходные оптопары
- Конфигурация: 1 Channel
- Тип входа: DC
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 35 V
- Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.2 V
- Напряжение изоляции: 5000 Vrms
- Коэффициент передачи по току: 400%
- Максимальное прямое напряжение диода: 1.4 V
- Максимальный входной ток диода: 50 mA
- Максимальный коллекторный ток: 50 mA
- Максимальное рассеяние мощности: 200 mW
- Максимальная рабочая температура: + 100 C
- Минимальная рабочая температура: - 30 C
- Упаковка / блок: PDIP-4
- Упаковка: Tube
- Максимальная длительность спада импульса: 18 us
- Максимальное обратное напряжение диода: 6 V
- Максимальное время нарастания: 18 us
- Количество каналов на чип: 1 Channel
- Устройство вывода: NPN Phototransistor
- Тип выхода: DC
Для того чтобы получить квалифицированную консультацию об электронных компонентах, модулях и электронных радиодеталях, и купить электронные компоненты в Украине обратитесь в офис Компании СЭА по телефону: +38 (044) 291-00-41 или по e-mail: info@sea.com.ua.
